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同步EEG-fMRI中放大器置于磁体腔内的梯度致热风险
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AI 综述
2026年11月3日，bioRxiv（Neuroscience）发表的一项研究关注同步EEG-fMRI中EEG硬件的梯度切换致热问题。研究指出，在7T和3T下将EEG放大器与电源盒置于磁体腔内会带来显著发热风险：7T时，slew rate不低于88 T/m/s的EPI序列可致放大器明显升温，降至61 T/m/s可消除该效应；3T下将硬件与磁体等中心距离增加30 cm，可不受序列参数影响地缓解发热。作者据此指出，缩短电极与放大器距离虽改善信号质量，却大幅提升梯度切换致硬件发热的风险。
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11月3日
- bioRxiv（Neuroscience）同步 EEG-fMRI 中降低梯度切换致 EEG 硬件发热风险
在 7T 和 3T 下将 EEG 放大器与电源盒置于磁体腔内会带来显著发热风险：7T 时 slew rate 不低于 88 T/m/s 的 EPI 序列可致放大器明显升温，降至 61 T/m/s 可消除该效应。3T 下将硬件与磁体等中心距离增加 30 cm 可不受序列参数影响地缓解发热。作者据此指出，缩短电极与放大器距离虽改善信号质量，却大幅提升梯度切换致硬件发热的风险。
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