arXiv(brain-computer interface)·· 2026-09-05AI 评分32
植入式脑机接口的双向无线通信:弱耦合条件下的链路综述与协同设计路线图
Bidirectional Wireless Communication for Weakly Coupled Implantable Brain-Computer Interfaces
AI 导读
针对植入式脑机接口在厘米级损耗组织中处于耦合系数10⁻³至10⁻¹的弱耦合区间,该综述梳理了inductive、mid-field、RF、超声、磁电、光学、UWB与电准静态等双向无线链路,并按深度、尺寸和数据率进行基准比较。
AI 要点
团队
第一作者 Shreyas Sen、末位作者 Anirudh Roy 等 4 人。
主要结果
在约 10 mW 通信预算、约 1°C 组织升温上限下,窄带高 Q 链路适合供能与低速数据,但 1–10 nJ/b 无法支撑千至百万通道所需的 >10 Mbps 至数十 Gbps 上行,需 sub-10 pJ/b 乃至 sub-1 pJ/b 链路。
解决什么问题
植入式脑机接口几乎都工作在弱耦合区(耦合系数 10⁻³–10⁻¹),无线信道限制了功率传输效率、带宽与每比特能耗。
方法
综述式:对比电感、中场、RF、超声、磁电、光学、UWB、电准静态等双向无线链路,按深度、尺寸、数据率做基准比较,并给出定量分析框架与跨电磁、电路、封装、安全、监管的协同设计路线图。
局限
从研究设计看,本文为综述与框架性工作,未提供新的实验或临床验证数据。
AI 依据原文整理,未经人工核对。
来源:arXiv(brain-computer interface) · arxiv.org