Bing News：brain implant·· 7 天前精选AI 评分70
UCL 等团队报告硅胶封装 CMOS 芯片通过 4.3 年加速老化测试
Silicone-Coated Brain Chips Survive Four Years of Simulated Implant Aging
AI 导读
伦敦大学学院、帝国理工学院、代尔夫特理工大学、Fraunhofer IZM 与伦敦国王学院团队在 Frontiers in Electronics 报告，等离子体处理的医用硅胶封装 CMOS 芯片在 47、67、87 摄氏度含盐缓冲液中连续浸泡并施加偏压，最长 1,587 天（约 4.3 年）未出现绝缘失效。
AI 要点
团队
伦敦大学学院、帝国理工学院、代尔夫特理工大学、弗劳恩霍夫IZM、伦敦国王学院；第一作者Ahmad Shah Idil。
主要结果
45个样品在加偏压热盐水中最长连续浸泡1587天（约4.3年），无一出现绝缘失效；约84%全程电学稳定。
解决什么问题
检验医用硅胶能否替代钛壳封装芯片级植入体，挑战“聚合物封装必然进水”的假设。
方法
AMS 0.35微米CMOS工艺梳齿电容（1450根1微米铝指），氧化硅/氮化硅钝化，等离子处理后灌封NuSil MED-6015硅胶；47/67/87℃、5V直流或双相偏压下用阻抗谱监测。
局限
从研究设计看，为体外加速老化实验，非动物或人体植入；作者称仅两个可用温度点，无法验证Arrhenius加速模型，不宜外推。
AI 依据原文整理，未经人工核对。
AI 推荐理由
原文给出封装工艺、加速老化条件与失效模式，可供植入式器械的封装与互连设计参考。
来源：Bing News：brain implant · bioengineer.org